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Electrónica de Potencia/Transistor Bipolar de Potencia/Estructura y principio de funcionamiento print that page

Forma_transistor_bipolar

Colector:de extensión mucho mayor. Tipo P Representación gráfica transistor BJT P-N-P,N-P-N La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario

Electrónica de Potencia/Diodo de potencia/Estructura y principio de funcionamiento print that page

Estructura_diodo_2

Organización de la carga en el diodo. . Al unir estas dos piezas obtenemos el diodo de unión PN . La región cargada positivamente y la cargada negativamente (figura 2) conforman la región de agotamiento de la unión PN, en la que esencialmente no hay electrones o huecos en movimiento

Electrónica de Potencia/MOSFET/Estructura y principio de funcionamiento print that page

Mosfet1

de aceptores NA. Una tensión positiva VGB entre la compuerta y la tierra (sustrato) creará una región de agotamiento debido a los huecos positivamente cargados, que son repelidos por el aislante de compuerta y semiconductor, de esta manera queda expuesta una región libre de portadores